Edison 功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：Edison功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，主要用于不同封裝功率模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)特性測(cè)試，可兼顧電控單元以及To247單管的動(dòng)態(tài)測(cè)試。可以同時(shí)完成單脈沖、雙脈沖以及短路測(cè)試等用戶(hù)測(cè)試條目。 Edison支持用戶(hù)進(jìn)行遠(yuǎn)程測(cè)試（需配VPN軟件及設(shè)備聯(lián)網(wǎng)），并可實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果及波形數(shù)據(jù)。幫助客戶(hù)快速評(píng)估器件性能，更快應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求改善產(chǎn)品性能。避坑指南：如何正確選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)放免費(fèi)測(cè)試名額：泰克半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2023-12-07
訪問(wèn) 量：899

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沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來(lái)的測(cè)試難點(diǎn)

*測(cè)不準(zhǔn)——碳化硅SiC動(dòng)態(tài)特性導(dǎo)致di/dt加快，電流采樣方案需要具備納秒級(jí)的解析度，否則測(cè)不準(zhǔn)器件的動(dòng)態(tài)特性
*測(cè)不全——碳化硅SiC高速開(kāi)關(guān)，測(cè)試回路雜感高會(huì)帶來(lái)的電壓尖峰，在器件工作電壓范圍內(nèi)測(cè)不全
*可靠性差——測(cè)試驅(qū)動(dòng)電路需要具備的抗EMI力，否則易損壞被測(cè)器件，導(dǎo)致設(shè)備可靠性差

Edison功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)可沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來(lái)的測(cè)試難點(diǎn)。創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，測(cè)試主回路雜感低至 6nH（Performance版）。高速、高頻、高可靠、高共模瞬變抗擾度（CMTI）使SiC驅(qū)動(dòng)器性能業(yè)界。使用泰克公司推出的新五系高分辨率示波器和專(zhuān)門(mén)用于高壓差分信號(hào)測(cè)試的光隔離探頭，為三代半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性表征帶來(lái)更高帶寬和更高測(cè)試精度。

一站式動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線(xiàn)的全覆蓋
從IDM企業(yè)到應(yīng)用企業(yè)的全覆蓋
從Si到SiC的全覆蓋
從Discrete到不同封裝Power Module的全覆蓋

高帶寬高精度測(cè)量?jī)x器

系統(tǒng)匹配TIVP光隔離探頭，可提供的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制
探頭電壓采樣帶寬高達(dá)1GHz，是傳統(tǒng)電壓探頭帶寬5倍以上
共模抑制比高達(dá)120dB，比傳統(tǒng)探頭提升1000倍以上
TIVP光隔離探頭能精準(zhǔn)捕捉碳化硅器件高速開(kāi)關(guān)時(shí)Vgs、Id和Vds的波形細(xì)節(jié)

超低雜感測(cè)試主回路

創(chuàng)新性層疊母排和電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
測(cè)試主回路雜感低至 10nH
改進(jìn)型低至6nH

強(qiáng)悍的短路測(cè)試能力

10k短路電流測(cè)試能力，放心探索產(chǎn)品極限。

實(shí)測(cè)工況：直流母線(xiàn)電壓為800V ，短路脈寬2.8us，開(kāi)通電阻20Ω，關(guān)斷電阻20Ω。

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Edison 功率模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)

沉著應(yīng)對(duì)SiC動(dòng)態(tài)特性差異帶來(lái)的測(cè)試難點(diǎn)

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